SK海力士和台积电公开了下一代高带宽存储器(HBM)的合作蓝图。5月14日，在阿姆斯特丹举行的台积电欧洲技术研讨会上，台积电宣布计划在HBM4的基模上使用12纳米和5纳米工艺技术。
对人工智能半导体至关重要的HBM是将DRAM堆叠在基础芯片上，并通过细孔垂直连接而成的。直到第五代，基本芯片主要作为连接到GPU的控制器。然而，从第六代开始，它将能够直接执行一些计算任务。
在全球人工智能半导体市场上，英伟达、SK海力士、台积电等三巨头以不同的角色占据主导地位。目前，SK海力士生产DRAM和基本芯片，台积电将其与其他组件组装在一起，然后将最终产品交付给英伟达。然而，随着台积电将采用尖端工艺生产基础模具，他们在HBM市场的技术影响力预计将大幅增长。
目前，SK海力士在全球HBM市场的占有率为50%左右，三星电子为40%左右。SK海力士独家向NVIDIA供应HBM，尽管三星正试图进入这一供应链。从今年3月开始，SK海力士开始批量生产第五代HBM3E，并将其供应给英伟达(NVIDIA)，并自行生产基础芯片。
将于明年开发的第6代HBM4的基本制程将转移到5纳米以下。这种超精细工艺允许在晶圆上绘制更多电路，从而实现额外的功能。只有拥有自己代工厂的三星和台积电能够处理5纳米以下的工艺。由于SK海力士无法与竞争对手三星合作开发基础芯片，台积电仍然是他们唯一可行的选择。
随着台积电进入由SK海力士和三星主导的HBM生产市场，形势正在发生变化。但SK海力士强调，与台积电的关系是“相互合作，而不是单方面依赖”。与此同时，三星计划在内部生产基本模具，采取可能带来成本和效率优势的“交钥匙”战略。为此，三星电子于今年3月成立了专门小组，整合存储半导体、代工、后处理部门的专业知识，开发下一代HBM。
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